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2SK1257

更新时间: 2024-01-01 01:21:47
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松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
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1页 70K
描述
Silicon N-channel Power F-MOS FET

2SK1257 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220F
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.035 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1257 数据手册

  

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