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2SK1273

更新时间： 2024-01-20 12:48:34

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关脉冲
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1页	45K
描述
MOS Field Effect Transistor

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2SK1273 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	POMM	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1273 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Field Effect Transistor

2SK1273

SOT-89

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.1

1.50

-0.1

4.50

1.80

Features

+0.1

-0.1

Directly driver by Ics having a 5V power source.

Has low on-satate resistance

RDS(on)=1.00 MAX.@VGS=4.0V,ID=0.5A

RDS(on)=0.65 MAX.@VGS=10V,ID=0.5A

Not necessary to consider driving current because

of its high input impedance.

0.53

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

Possible to reduce the number of parts by omitting the biasresistor.

1 Gate

1. Source

1. Base

+0.1

-0.1

3.00

2 Drain

2. Drain

2. Collector

3 Source

3. Emiitter

3. Gate

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current (DC)

2.0

Drain current(pulse) *

Power dissipation

4.0

2.0

Channel temperature

Storage temperature

* PW 10ms, duty cycle

Tch

150

Tstg

-55 to +150

50%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

VDS=60V,VGS=0

Min

Typ

1.7

Max

Unit

Drain cut-off current

IDSS

IGSS

Gate leakage current

VGS= 20V,VDS=0

Gate to source cutoff voltage

Forward transfer admittance

VGS(off) VDS=10V,ID=1mA

1.0

0.4

2.5

VDS=10V,ID=0.5A

VGS=4.0V,ID=0.5A

VGS=10V,ID=0.5A

Yfs

0.31 1.00

Drain to source on-state resistance

RDS(on)

0.24 0.65

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

Crss

td(on)

220

105

VDS=10V,VGS=0,f=1MHZ

ID=0.5A,VGS(on)=10V,RL=50

,VDD=25V,RG=10

Turn-off delay time

Fall time

td(off)

380

120

Marking

www.kexin.com.cn

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