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2SK1271-A

更新时间： 2024-11-21 20:10:07

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日电电子 - NEC		局域网
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7页	1210K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1400V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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2SK1271-A 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1400 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1271-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK1271

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK1271 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications.

FEATURES

• High voltage rating (VDSS = 1400 V)

• Low on-state resistance

R^DS(on)= 4.0 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3 A)

• Low C^issCiss = 1800 pF TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

VDSS

VGSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

1400

5.0

Drain Current (pulse) ^Note

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

240

°C

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Note

PW ≤ 10 μs, Duty cycle ≤ 1%

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Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No.

(Previous No. TC-2380)

D18441EJ2V0DS00 (2nd edition)

1993, 2006

Date Published November 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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与2SK1271-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1272	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK1272-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
2SK1273	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK1273	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK1273	TYSEMI	获取价格	Directly driver by Ics having a 5V power source. Has low on-satate resistance
2SK1273-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89
2SK1273-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox
2SK1273-T1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89
2SK1273-T2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,2A I(D),SOT-89
2SK1274	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

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