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2SK1154

更新时间: 2024-02-04 22:24:37
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 51K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

2SK1154 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.36Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1154 数据手册

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2SK1153, 2SK1154  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Drain to source voltage  
2SK1153  
2SK1154  
VDSS  
450  
V
500  
Gate to source voltage  
Drain current  
VGSS  
±30  
V
ID  
3
A
1
Drain peak current  
ID(pulse)  
*
12  
A
Body to drain diode reverse drain current  
Channel dissipation  
IDR  
3
A
Pch*2  
Tch  
30  
W
°C  
°C  
Channel temperature  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%  
2. Value at TC = 25°C  
2

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