2SK1154

更新时间： 2024-01-06 02:43:46

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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9页	51K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1154 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-46, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1154 数据手册

2SK1153, 2SK1154

Body to Drain Diode Reverse

Typical Capacitance

Recovery Time

vs. Drain to Source Voltage

1,000

500

1,000

100

Ciss

di/dt = 100 A/µs, Ta = 25°C

_GS= 0

V_GS= 0

f = 1 MHz

Pulse Test

200

100

Coss

Crss

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

Reverse Drain Current I_DR(A)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Switching Characteristics

Dynamic Input Characteristics

500

•

V_GS= 10 V V_DD= 30 V

V_DD= 100 V

250 V

•

PW = 2µs, duty < 1%

200

100

400

300

200

100

V_DS

400 V

V_GS

t_{d (off)}

t_f

I_D= 3 A

t_r

V_DD= 400 V

250 V

100 V

t_{d (on)}

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

Drain Current I_D(A)

Gate Charge Qg (nc)

1...3 4 567 8 9

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2SK1154 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK1154-E	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel MOS FET
2SK1154	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel MOS FET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1154-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1155	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK1155	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1155\|2SK1156	ETC	获取价格
2SK1155-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1156	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1156	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
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