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2SK1154

更新时间: 2024-02-20 03:13:45
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1154 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.36Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1154 数据手册

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2SK1153, 2SK1154  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
5
4
3
2
1
Pulse Test  
5 V, 10 V  
VGS = 0, –10 V  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Source to Drain Voltage VSD (V)  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
TC = 25°C  
D = 1  
0.5  
1.0  
0.3  
0.1  
θch–c(t) = γS (t) • θch–c  
θch–c = 4.17°C/W, TC = 25°C  
PDM  
PW  
D =  
T
0.03  
PW  
T
0.01  
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (S)  
Switching Time Test Circuit  
Vin Monitor  
Waveforms  
90 %  
Vout Monitor  
RL  
Vin  
10 %  
10 %  
D.U.T  
10 %  
Vout  
50 Ω  
90 %  
d (off)  
90 %  
t
.
VDD = 30 V  
t
Vin = 10 V  
t
.
d (on)  
t
f
r
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6  

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