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2SK1154

更新时间: 2024-01-10 07:18:58
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1154 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.36Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1154 数据手册

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2SK1153, 2SK1154  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Temperature  
Forward Transfer Admittance  
vs. Drain Current  
5
4
3
2
1
0
5
VDS = 10 V  
Pulse Test  
–25°C  
VGS = 10 V  
Pulse Test  
TC = 25°C  
2
1.0  
0.5  
3 A  
75°C  
2 A  
ID = 1 A  
0.2  
0.1  
–40  
0
40  
80  
120  
160  
0.1 0.2  
0.5 1.0  
2
5
0.05  
Case Temperature TC (°C)  
Drain Current ID (A)  
Body to Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
Typical Capacitance  
vs. Drain to Source Voltage  
Ciss  
1,000  
100  
10  
1,000  
500  
di/dt = 100 A/µs, Ta = 25°C  
VGS = 0  
Pulse Test  
VGS = 0  
f = 1 MHz  
200  
100  
50  
Coss  
Crss  
20  
10  
1
0.05 0.1 0.2  
0.5 1.0  
2
5
0
10  
20  
30  
40  
50  
Reverse Drain Current IDR (A)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Dynamic Input Characteristics  
Switching Characteristics  
500  
500  
20  
VGS = 10 V, VDD = 30 V  
PW = 2 µs, duty 1 %  
VDD = 100 V  
250 V  
200  
100  
50  
16  
12  
8
400  
300  
200  
100  
VDS  
400 V  
VGS  
td (off)  
tf  
20  
ID = 3 A  
VDD = 400 V  
250 V  
100 V  
tr  
4
td (on)  
10  
5
0
0
4
8
12  
16  
20  
0.05 0.1 0.2  
0.5 1.0  
2
5
Drain Current ID (A)  
Gate Charge Qg (nc)  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 6  

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