是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
零件包装代码: | DPAK(S) | 包装说明: | SC-63, DPAK-3/2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 450 V |
最大漏极电流 (ID): | 1.5 A | 最大漏源导通电阻: | 5.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1151(S)TR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
2SK1151(S)TR | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
2SK1151_11 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1151L | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1151L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1151L-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1151S | TYSEMI |
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Low on-resistance High speed switching No secondary breakdown | |
2SK1151S | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1151S | KEXIN |
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Silicon N-Channel MOSFET | |
2SK1151S | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |