是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 100 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK1006 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK1006-01M | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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2SK1006-01MR | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK1007 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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2SK1007-01 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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2SK1008 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220 |
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