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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 200 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 95 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1009 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK1009-01 | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1010 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220 |
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| 2SK1010-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1011 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK1011-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1012 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK1012-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1013 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1013-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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