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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1016

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2SK1016

更新时间： 2024-02-21 18:06:32

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		/
页数	文件大小	规格书
16页	1625K
描述
POWER MOSFET

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2SK1016 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SK1016 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1016-01	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET	获取价格
2SK1017	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
2SK1017-01	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK1018	FUJI	POWER MOSFET	获取价格
2SK1018-01	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-247	获取价格
2SK1019	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格

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