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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.35 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK386 | TOSHIBA |
功能相似  |
TRANSISTOR 10 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| IRFP453 | SAMSUNG |
功能相似 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1017 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1017-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK1018 | FUJI |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| 2SK1018-01 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK1019 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK1020 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK1021 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK1021-01 | FUJI |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SK1022-01 | FUJI |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SK1023 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
|
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