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2SK1015

更新时间： 2024-01-07 22:23:16

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	622K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-247VAR

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2SK1015 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SK1015 数据手册

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与2SK1015相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1015-01	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
2SK1016	FUJI	POWER MOSFET	获取价格
2SK1016-01	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET	获取价格
2SK1017	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
2SK1017-01	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK1018	FUJI	POWER MOSFET	获取价格

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