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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK1018-01 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-247 |
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| 2SK1019 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1020 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1021 | ETC | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1021-01 | FUJI | Transistor |
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| 2SK1022-01 | FUJI | Transistor |
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