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2SK1008

更新时间： 2024-01-18 01:58:44

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	622K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-220

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2SK1008 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SK1008 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1008-01	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK1009	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220	获取价格
2SK1009-01	FUJI	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SK1010	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-220	获取价格
2SK1010-01	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET	获取价格
2SK1011	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247VAR	获取价格

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