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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 200 ns | 最大开启时间（吨）： | 110 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF830PBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
|
| BUZ41A | HARRIS |
功能相似 |
4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1011 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1011-01 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1012 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1012-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK1013 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1013-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK1014 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1014-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK1015 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK1015-01 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-247VAR |
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