生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.23 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 450 V | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 1.3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 80 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 200 ns |
最大开启时间(吨): | 110 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK1010 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220 |
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2SK1010-01 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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2SK1011 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
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2SK1011-01 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
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2SK1012 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
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2SK1012-01 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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