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2SK1009-01

更新时间: 2024-01-08 09:53:59
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富士电机 - FUJI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 90K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

2SK1009-01 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.23
其他特性:AVALANCHE RATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):7 A
最大漏源导通电阻:1.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:80 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):200 ns
最大开启时间(吨):110 nsBase Number Matches:1

2SK1009-01 数据手册

  
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