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2SJ595

更新时间： 2024-02-20 20:54:42

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描述
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2SJ595 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SJ595 数据手册

2SJ595

I -- V

fs -- I

=--10V

--10

--1.0

1.0

0.1

--0.1

0.01

--0.01

5 7

--0.01

5 7

--0.1

5 7

--1.0

ドレイン電流, I -- A

5 7

--10

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT03349

--0.001

ダイオード順電圧, V

-- V

Ciss, Coss, Crss -- V

IT03348

SW Tim e -- I

f=1M Hz

=--30V

=--10V

1000

100

t (off)

Ciss

100

t (on)

--0.1

--10

--20

--30

--40

--50

--60

--1.0

--10

ドレイン電流, I -- A

IT03350

ドレイン・ソース電圧, V

A S O

-- V

IT03351

-- Qg

--10

=--10V

=--24A

≦10µ

--9

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

I =--6A

--10

I =--6A

--1.0

Operation in this

areaislim ited byR (on).

--1

Tc=25°C

1パルス

--0.1

IT03352

5 7

--1.0

--10

--100

ドレイン・ソース電圧, V

-- V

総ゲート電荷量, Qg -- nC

IT03353

-- Ta

-- Tc

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100

120

140

160

100

120

140

160

周囲温度, Ta -- °C

ケース温度, Tc -- °C

IT03354

IT03355

No.6978-3/4

1 234

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