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2SJ595

更新时间： 2024-01-14 22:39:37

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描述
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2SJ595 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SJ595 数据手册

2SJ595

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m in

typ

170

235

440

110

m ax unit

ドレイン・ソース間オン抵抗

(on)1

(on)2

I =－3A,V =－10V

220 m Ω

I =－1A,V =－4V

D GS

330 m Ω

入力容量

Ciss

Coss

Crss

=－20V,f=1M Hz

出力容量

帰還容量

=－20V,f=1M Hz

ターンオン遅延時間

立ち上がり時間

ターンオフ遅延時間

下降時間

t (on)

指定回路において

ꢀꢀꢀ〃

t (off)

ꢀꢀꢀ〃

総ゲート電荷量

ゲート・ソース電荷量

ゲート・ドレイン電荷量

ダイオード順電圧

Qgs

Qgd

=－10V,V =－10V,I =－6A

3.7

－0.91

I =－6A,V =0

S GS

－1.2

スイッチングタイム測定回路図

= --30V

= --3A

R =10Ω

--10V

OUT

PW=10µs

D.C.≦1%

P. G

50Ω

2SJ595

-- V

D GS

--12

--10

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

=--10V

--6

--4

--2

--1

=--2.5V

--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0

--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0

ドレイン・ソース電圧, V

-- V

ゲート・ソース電圧, V

-- V

IT03344

IT03345

(on) -- V

(on) -- Tc

500

450

400

350

300

250

200

150

100

400

350

300

250

200

150

100

Tc=25°C

--3A

I =--1A

--2

--4

--6

--8

--10 --12 --14 --16 --18 --20

--60 --40 --20

80 100 120 140 160

ゲート・ソース電圧, V

-- V

ケース温度, Tc -- °C

IT03346

IT03347

No.6978-2/4

123 4

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