5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 7.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ576 | HITACHI | Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
获取价格 |
|
| 2SJ576 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
获取价格 |
|
| 2SJ577 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
获取价格 |
|
| 2SJ578 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
获取价格 |
|
| 2SJ579 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
获取价格 |
|
| 2SJ580 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
获取价格 |
|
VIPER22A的资料手册解读、引脚参数说明、代换型号推荐
ADS1256的资料手册解读、采集电压范围、读数变化原因分析及实际测量遇到的问题
MAX6675资料手册参数详解、引脚配置说明
LM258引脚图及功能介绍、主要参数分析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
