生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.295 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 15 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ594TP-FA | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252VAR |
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2SJ595 | SANYO | DC / DC ?R???o?[?^?p |
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2SJ595TP | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251VAR |
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2SJ595TP-FA | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252VAR |
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2SJ596 | SANYO | DC / DC Converter Applications |
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2SJ596TP | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251VAR |
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