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2SJ595

更新时间： 2024-02-12 16:34:54

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三洋 - SANYO		/
页数	文件大小	规格书
4页	49K
描述
DC / DC ?R???o?[?^?p

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技术参数
数据手册

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2SJ595 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SJ595 数据手册

注文コードNo.N 6978

2SJ595

No. ^{N 6978}

62501

新

P チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ

2SJ595

DC /DC コンバータ用

特長・低オン抵抗。

・超高速スイッチング。

・4V 駆動。

絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃

unit

ドレイン・ソース電圧

ゲート・ソース電圧

ドレイン電流（DC）

ドレイン電流（パルス）

許容損失

－60

DSS

GSS

±20

－6

PW ≦10µs,dutycycle≦1%

－24

Tc=25℃ꢀ

150

チャネル温度

保存周囲温度

Tch

℃

Tstg

－55～＋150

電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃

m in

typ

4.8

m ax unit

ドレイン・ソース降伏電圧

ドレイン・ソースしゃ断電流

ゲート・ソースもれ電流

ゲート・ソースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

I =－1m A,V =0

－60

(BR)DSS

DSS

=－60V,V =0

－10

±10

－2.4

µA

GSS

=±16V,V =0

(off)

=－10V,I =－1m A

－1.0

3.4

yfs

=－10V,I =－3A

次ページへ続く。

単体品名表示：J595

外形図ꢀ2083B

外形図ꢀ2092B

(unit:m m )

6.5

2.3

6.5

5.0

2.3

5.0

0.5

0.85

0.7

0.85

1.2

1:Gate

0.6

1.2

2:Drain

3:Source

4:Drain

0～0.2

0.6

0.5

1:Gate

2:Drain

3:Source

4:Drain

2.3

SANYO :TP-FA

2.3

SANYO :TP

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、

多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

62501TS IM ◎佐藤TA-3118No.6978-1/4

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与2SJ595相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ595TP	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-251VAR	获取价格
2SJ595TP-FA	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-252VAR	获取价格
2SJ596	SANYO	DC / DC Converter Applications	获取价格
2SJ596TP	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-251VAR	获取价格
2SJ596TP-FA	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-252VAR	获取价格
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