2SJ575

更新时间： 2024-02-16 13:59:23

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日立 - HITACHI		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	42K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

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2SJ575 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	7.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ575 数据手册

2SJ575

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

Ratings

-30

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

V_GSS

I_D

±20

-100

°C

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

-400

Body-drain diode reverse drain current I_DR

-100

Channel dissipation

Pch ^{Note 2}

400

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Note: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value on the alumina ceramic board (12.5x20x0.7mm)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown

voltage

V_(BR)DSS

-30

—

I_D= -100 µA, V_GS= 0

Gate to source breakdown

voltage

V_(BR)GSS

±20

—

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

Gate to source leak current

I_GSS

I_DSS

—

±5

µA

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

Zero gate voltege drain

current

-1

V_DS= -30 V, V_GS= 0

Gate to source cutoff voltage V_GS(off)

Static drain to source on state R_DS(on)

-1.3

—

-2.3

3.3

7.9

—

I_D= -10µA, V_DS= -5 V

I_D= -50 mA,V_GS= -10 V ^{Note 3}

I_D= -50 mA,V_GS= -4 V^{Note 3}

I_D= -50 mA, V_DS= -10 V ^{Note 3}

V_DS= -10 V

2.8

5.7

105

Ω

resistance

R_DS(on)

Ω

Forward transfer admittance |y_fs|

Input capacitance

Output capacitance

Ciss

—

Coss

—

V_GS= 0

Reverse transfer capacitance Crss

—

f = 1 MHz

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

—

I_D= -50mA, V_GS= -10 V

R_L= 200Ω

—

Turn-off delay time

Fall time

—

Note: 3. Pulse test

4. Marking is AP

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