2SJ575

更新时间： 2024-02-27 02:26:11

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日立 - HITACHI		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	42K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

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2SJ575 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	7.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ575 数据手册

2SJ575

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

Pulse Test

= -4 V

= -100mA

-10V

1.0

0.5

-50m A

-10m A

-8

-6

Gate to Source Voltage

-2

-4

-10

-0.01

-0.02

Drain Current

-0.05

(A)

-0.1

(V)

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Temperature

Typical Transfer Characteristics

0.5

= -10 V

= -10m A, -50m A

Pulse Test

-100m A

= -4 V

0.2

0.1

Tc = –25 °C

25 °C

0.05

-10m A, -50m A, -100m A

Pulse Test

75 °C

-10 V

0.02

0.01

–40

0.005

-0.01

-0.02

-0.05

-0.1

120

160

Case Temperature Tc ( °C)

Drain Current I (A)

1 2 345 6 7 8

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