2SJ575

更新时间： 2024-02-04 03:29:20

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日立 - HITACHI		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	42K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

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2SJ575 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	7.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ575 数据手册

2SJ575

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Mavimum Safe Operation Area

-5

800

600

400

200

-2

-1.0

10 µs

100 µs

1 ms

-0.5

-0.2

-0.1

-0.05

-0.02

-0.01

Operation in this area

is limited by RDS(on)

-0.005

-0.002

-0.001

Ta=25 °C

-0.0005

-0.05-0.1

-1.0

-10 -20 -50

-5

-0.2 -0.5

-2

100

150

200

Ambient Temperature Ta ( °C)

Drain to Source Voltage

(V)

*Value on the alumina ceramic boad (12.5x20x0.7mm)

Value on the alumina ceramic boad (12.5x20x0.7mm)

Typical Output Characteristics

-6 V

Typical Transfer Characteristics

-0.5

-7 V

-0.5

-0.4

-0.3

-0.2

-0.1

Pulse Test

25 °C

-0.4

-5V

75 °C

Tc = –25 °C

-0.3

-4 V

-0.2

-0.1

= -10 V

= -3 V

-8

Pulse Test

-2

-4

-6

-8 -10

-2

-4

-6

-10

Gate to Source Voltage

V (V)

Drain to Source Voltage

(V)

1 234 5 6 7 8

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