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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | UPAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.43 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ517YYUL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ517YYUR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ517YYUR | RENESAS |
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2A, 20V, 0.43ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ518 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ518 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SJ518AZTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ518AZTR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ520 | SANYO |
获取价格 |
Load Switching Applications |
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| 2SJ520TP | SANYO |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251VAR |
|
| 2SJ520TP-FA | SANYO |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252VAR |
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