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2SJ377(TE16L1,NQ)

更新时间: 2024-02-15 17:18:54
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 418K
描述
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold T/R

2SJ377(TE16L1,NQ) 技术参数

生命周期:End Of Life包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3/2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:18 weeks
风险等级:5.64雪崩能效等级(Eas):273 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A最大漏源导通电阻:0.28 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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2SJ377  
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2010-02-05  

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