Datasheet > 2SJ377(TE16L1,NQ)

2SJ377(TE16L1,NQ)

更新时间： 2024-01-18 03:12:53

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	418K
描述
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold T/R

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ377(TE16L1,NQ) 技术参数

生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3/2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	273 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.28 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ377(TE16L1,NQ) 数据手册

浏览型号2SJ377(TE16L1,NQ)的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号2SJ377(TE16L1,NQ)的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号2SJ377(TE16L1,NQ)的Datasheet PDF文件第4页

2SJ377

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Gate leakage current

= ±16 V, V = 0 V

—

±10

−100

—

μA

GSS

Drain cutoff current

= −60 V, V

= 0 V

DSS

(BR) DSS

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

= −10 mA, V

−60

−0.8

—

= −10 V, I = −1 mA

—

−2.0

0.28

0.19

—

= −4 V, I = −2.5 A

0.24

0.16

4.0

630

Drain-source ON-resistance

Ω

DS (ON)

= −10 V, I = −2.5 A

—

Forward transfer admittance

Input capacitance

|Y |

= −10 V, I = −2.5 A

2.0

—

iss

= −10 V, V

= 0 V, f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Output capacitance

—

rss

—

290

—

oss

Rise time

—

Turn-on time

Switching time

Fall time

Turn-off time

—

200

—

off

Total gate charge (Gate-source

plus gate-drain)

≈ −48 V, V

= −10 V, I = −5 A

Gate-source charge

—

Gate-drain (“Miller”) charge

Source-Drain Ratings and Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

—

Typ.

—

Max

−5

Unit

Continuous drain reverse current

(Note 1)

—

Pulse drain reverse current

(Note 1)

—

−20

DRP

Forward voltage (diode)

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

= −5 A, V

= 0 V

—

1.7

—

DSF

μC

/ dt = 50 A / μS

Qrr

0.1

—

Marking

Note 4 : A line under a Lot No. identifies the indication of product Labels

[[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]

J377

Part No.

Lot No.

Note 4

Please contact your TOSHIBA sales representative for details as to

environmental matters such as the RoHS compatibility of Product.

The RoHS is Directive 2002/95/EC of the European Parliament and

of the Council of 27 January 2003 on the restriction of the use of certain

hazardous substances in electrical and electronic equipment.

2010-02-05

123 4 5 6

下载PDF

与2SJ377(TE16L1,NQ)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ377_05	TOSHIBA	Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Applications	获取价格
2SJ377_10	TOSHIBA	Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Applications	获取价格
2SJ377Q	TOSHIBA	Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Applications	获取价格
2SJ377TE16R	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ378	TOSHIBA	P CHANNEL MOS TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, RELAY DRIVE, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE A	获取价格
2SJ378_07	TOSHIBA	Relay Drive, DC−DC Converter and Motor Drive Applications	获取价格

与2SJ377(TE16L1,NQ)相关文章

深入解析AD7606高性能多通道模数转换器：资料手册参数分析
2024-05-10

2
74HC573三态非易失锁存器(Latch)资料手册参数分析
2024-05-10

1
MAX3232 RS-232电平转换器资料手册参数分析
2024-05-10

2
MAX485 RS-485/RS-422收发器资料手册参数分析
2024-05-10

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ377(TE16L1,NQ)

2SJ377(TE16L1,NQ) 技术参数

2SJ377(TE16L1,NQ) 数据手册

与2SJ377(TE16L1,NQ)相关器件

与2SJ377(TE16L1,NQ)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SJ377(TE16L1,NQ)

2SJ377(TE16L1,NQ) 技术参数

2SJ377(TE16L1,NQ) 数据手册

与2SJ377(TE16L1,NQ)相关器件

与2SJ377(TE16L1,NQ)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？