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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ327-Z | NEC | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ327-Z-AZ | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E1 | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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| 2SJ327-Z-E1 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E2 | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ327-Z-E2-AY | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252VAR |
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