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2SJ327-AY

更新时间: 2023-01-03 01:54:58
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
8页 1853K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),TO-251VAR

2SJ327-AY 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

2SJ327-AY 数据手册

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2SJ327,327-Z  
4
Data Sheet D18314EJ3V0DS  

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