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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ330(0)-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-220VAR |
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| 2SJ330-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ331 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SJ331-A | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ332(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ332(S) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA |
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| 2SJ332(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ332(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ332L | ETC |
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| 2SJ332S | ETC |
获取价格 |
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