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2SJ331-A

更新时间： 2024-01-14 19:22:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	345K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ331-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ331-A 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ332(L)	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ332(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-252AA	获取价格
2SJ332(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ332(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ332L	ETC		获取价格
2SJ332S	ETC		获取价格

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