2SJ319L

更新时间： 2024-01-27 18:15:51

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Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ319L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	2.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ319L 数据手册

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Body–Drain Diode Reverse

Recovery Time

1000

500

Ciss

200

100

200

100

Coss

= 0

f = 1 MHz

di/dt = 50 A/µs, V

duty < 1 %, Ta = 25 °C

= 0

Crss

–10

–20

–30

-40

–50

(V)

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1

–2

–5

Reverse Drain Current

(A)

Drain to Source Voltage V

Switching Characteristics

= –10 V, V = –30 V

Dynamic Input Characteristics

500

= –50 V

–100 V

–150 V

duty < 1 %, PW = 2 µs

200

100

–100

–200

–300

–4

VDD = –150 V

–8

d(off)

–100 V

–50 V

–12

d(on)

–400

–500

–16

–20

–0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10

Drain Current

(A)

Gate Charge Qg (nc)

1 2 3 456 7 8 9

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