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2SJ319L

更新时间： 2024-01-03 08:10:15
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
9页 48K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ319L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DPAK(S)包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.82Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：2.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ319L 数据手册

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2SJ319(L), 2SJ319(S)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VDSS  
Ratings  
–200  
±20  
Unit  
V
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
VGSS  
V
ID  
–3  
A
1
Drain peak current  
ID(pulse)  
*
–12  
A
Body to drain diode reverse drain current  
Channel dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
IDR  
–3  
A
Pch*2  
Tch  
20  
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at TC = 25°C  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test conditions  
Drain to source breakdown  
voltage  
V(BR)DSS –200  
—
—
V
ID = –10 mA, VGS = 0  
Gate to source breakdown  
voltage  
V(BR)GSS ±20  
—
—
V
IG = ±100 µA, VDS = 0  
Gate to source leak current  
IGSS  
—
—
—
—
1.7  
±10  
–100  
–4.0  
2.3  
µA  
µA  
V
VGS = ±16 V, VDS = 0  
Zero gate voltage drain current IDSS  
—
VDS = –160 V, VGS = 0  
ID = –1 mA, VDS = –10 V  
ID = –2 A, VGS = –10 V*1  
Gate to source cutoff voltage  
VGS(off)  
–2.0  
—
Static drain to source on state RDS(on)  
resistance  
Ω
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
|yfs|  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
1.7  
330  
130  
25  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
ID = –2 A, VDS = –10 V*1  
VDS = –10 V, VGS = 0,  
f = 1 MHz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
10  
ID = –2 A, VGS = –10 V,  
30  
RL = 15 Ω  
Turn-off delay time  
Fall time  
td(off)  
tf  
40  
30  
Body to drain diode forward  
voltage  
VDF  
–1.15  
IF = –3 A, VGS = 0  
Body to drain diode reverse  
recovery time  
trr  
—
180  
—
ns  
IF = –3 A, VGS = 0,  
diF/dt = 50 A/µs  
Note: 1. Pulse test  
2
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