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2SJ319(S)TL

更新时间: 2024-01-15 22:31:22
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
9页 48K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ319(S)TL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DPAK(S)包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:2.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ319(S)TL 数据手册

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2SJ319(L), 2SJ319(S)  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Drain Current  
10  
Drain to Source Saturation Voltage vs.  
Gate to Source Voltage  
–20  
–16  
–12  
–8  
Pulse Test  
5
V
= –10 V  
GS  
Pulse Test  
2
1
I
= –5 A  
D
0.5  
–2 A  
–1 A  
–4  
0.2  
0.1  
–0.2  
–0.5  
–1  
–2  
–5  
(A)  
–10  
0
–4  
–8  
12  
–16  
V
GS  
–20  
(V)  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
I
D
Forward Transfer Admittance vs.  
Drain Current  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Temperature  
3
2
5
Tc = –25 °C  
4
1
–2 A  
3
I
= –5 A  
D
25 °C  
75 °C  
0.5  
–1 A  
2
1
0.2  
0.1  
V
= –10 V  
Pulse Test  
DS  
V
= –10 V  
GS  
Pulse Test  
0
–40  
–0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2  
–10  
–5  
0
40  
80  
120  
160  
Drain Current I  
(A)  
D
Case Temperature Tc (°C)  
4

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