2SJ247

更新时间： 2024-01-09 21:25:38

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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ247 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

2SJ247 数据手册

2SJ247

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–100

±20

Unit

–8

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–32

Body to drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

Pch ^{Note 2}

Tch

–8

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_GSS

Min

–100

±20

—

Typ

—

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Gate to source leak current

—

I_D= –10 mA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

V_DS= –80 V, V_GS= 0

I_D= –1 mA, V_DS= –10 V

I_D= –4 A, V_GS= –10 V ^{Note 3}

I_D= –4 A, V_GS= –4 V ^{Note 3}

I_D= –4 A, V_DS= –10 V ^{Note 3}

V_DS= –10 V

—

±10

–250

–2.0

0.3

0.45

—

µA

Zero gate voltage drain current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

I_DSS

—

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–1.0

—

0.25

0.3

5.5

880

325

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

3.0

—

Ciss

—

_GS= 0

Output capacitance

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

I_D= –4 A

V_GS= –10 V

R_L= 7.5 Ω

Rise time

—

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

150

—

Fall time

—

Body to drain diode forward voltage

Body to drain diode reverse recovery time

V_DF

—

–1.0

170

—

I_F= –8 A, V_GS= 0

di_F/dt = 50 A/µs

t_rr

—

Note: 3. Pulse test

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 6

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