2SJ130(S)TR

更新时间： 2024-01-21 20:45:34

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	71K
描述
1A, 300V, 8.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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技术参数
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2SJ130(S)TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(L)-(1)	包装说明：	SC-63, DPAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	8.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ130(S)TR 数据手册

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162

Input Capacitance vs.

Gate to Source Voltage

Forward Transfer Admittance vs.

Frequency

1000

500

0.3

0.1

0.03

0.01

200

100

Tc = 25°C

_DS= –10 V

_D= –2 A

V_DS= –10 V

f = 1 MHz

0.003

10 k 30 k 100 k 300 k 1 M 3 M 10 M

Gate to Source Voltage V

(V)

Frequency f (Hz)

Switching Time vs. Drain Current

500

200

100

off

–0.1 –0.2

–0.5 –1

–2

–5 –10

Drain Current I_D(A)

Switching Time Test Circuit

Output

Waveform

10%

R_L

Input

90%

off

–20 V

90%

PW = 50 µs

duty ratio = 1%

50 Ω

Output

10%

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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