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2SJ143

更新时间： 2024-02-22 02:57:20

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	103K
描述
MOS Field Effect Power Transistors

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2SJ143 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SJ143 数据手册

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