2SJ130(S)TR

更新时间： 2024-01-12 12:51:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	71K
描述
1A, 300V, 8.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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技术参数
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2SJ130(S)TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(L)-(1)	包装说明：	SC-63, DPAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	8.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ130(S)TR 数据手册

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162

Package Dimensions

JEITA Package Code

SC-65

RENESAS Code

Package Name

TO-3P / TO-3PV

MASS[Typ.]

5.0g

PRSS0004ZE-A

Unit: mm

4.8 0.2

15.6 0.3

3.2 0.2

1.5

1.6

2.0

1.4 Max

2.8

1.0 0.2

0.6 0.2

0.9

1.0

3.6

5.45 0.5

Ordering Information

Part Name

Quantity

Shipping Container

2SJ160-E

2SJ161-E

2SJ162-E

360 pcs

Box (Tube)

360 pcs

Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of

production before ordering the product.

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 5

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