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2SJ132-Z

更新时间： 2024-11-20 14:47:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	130K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ132-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ132-Z 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS

2SJ132, 2SJ132-Z

P-CHANNEL POWER MOS FET

FOR SWITCHING

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• Gate drive available at logic level (VGS = −4 V)

• High current control available in small

dimension due to low RDS(on) (≅ 0.25 Ω)

• 2SJ132-Z is a lead process product and is deal

for mounting a hybrid IC.

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC

Semiconductor Devices” (Document No.

C11531E) published by NEC Corporation to

know the specification of quality grade on the

devices and its recommended applications.

Electrode connection

<1> Gate

<2> Drain

<3> Source

<4> Fin (drain)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

INTERNAL

EQUIVALENT CIRCUIT

Parameter

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current (DC)

Symbol

V^DSS

Conditions

Ratings

Unit

−30

V^GS= 0

V^DS= 0

–

V^GSS

–

T^C= 25°C

I^D(DC)

2.0

–

PW ≤ 300 µs

Drain current (pulse)

I^D(pulse)

8.0

duty cycle ≤ 10 %

T^C= 25°C

T^a= 25°C

Total power dissipation

Channel temperature

P^T

1.0*, 2.0**

150

°C

T^ch

T^stg

−55 to +150

Storage temperature

* Printing board mounted

** 7.5 cm²× 0.7 mm ceramic board mounted

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16192EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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与2SJ132-Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ132-Z-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ132-Z-T1	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ133	ETC	获取价格	MOS Field Effect Power Transistors
2SJ134	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ135	NEC	获取价格	FAST SWITCHING P-CHANNEL SILICON POWER MOS FET
2SJ136	ETC	获取价格	MOS Field Effect Power Transistors
2SJ137	ETC	获取价格	MOS Field Effect Power Transistors
2SJ138	NEC	获取价格	FAST SWITCHING P CHANNEL SILICON POWER MOS FET
2SJ139	ETC	获取价格	MOS Field Effect Power Transistors
2SJ140	NEC	获取价格	FAST SWITCHING P - CHANNEL SILICON POWER MOS FET

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