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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DPAK(L)-(1) | 包装说明： | SC-63, DPAK-3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ1315(L)(S).2SK1316(L)(S) | ETC |
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| 2SJ132 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ132-Z | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ132-Z-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ132-Z-T1 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ133 | ETC |
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MOS Field Effect Power Transistors |
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| 2SJ134 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SJ135 | NEC |
获取价格 |
FAST SWITCHING P-CHANNEL SILICON POWER MOS FET |
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| 2SJ136 | ETC |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
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| 2SJ137 | ETC |
获取价格 |
MOS Field Effect Power Transistors |
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