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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 85 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD895E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-218VAR |
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| 2SD896 | SANYO |
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100V/7A, AF 40W Output Applications |
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| 2SD896 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD896 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD896D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SD896E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |
|
| 2SD897 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SD897A | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(1.5A,1500V,50W) |
|
| 2SD898 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD898 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
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