2SD904

更新时间： 2024-01-03 05:31:50

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	192K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD904 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SD904 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD904

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 5.0V(Max.)@ I_C= 3A

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for color TV horizontal output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1500

600

Collector Current- Continuous

Collector Current- Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_a= 25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C= 25℃

T_J

Junction Temperature

150

-40~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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