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2SD917

更新时间： 2024-01-19 11:34:13

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD917 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	7 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SD917 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD917

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High speed switching

·High V_CBO

·Large collector power dissipation

APPLICATIONS

·For horizontal deflection output

applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

330

200

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Collector current (Nonrepeatitive)

Collector power dissipation

Junction temperature

I_CM

P_C

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

Storage temperature

ꢀ

12 3

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2SD922	ETC	获取价格	High speed switching transistor
2SD923	ETC	获取价格	INDUSTRIAL USE POWER SUPPLY
2SD929	ETC	获取价格	TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE ULTRA HIGH TRANSISTOR
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2SD930	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB
2SD931	ETC	获取价格	High speed switching transistor
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