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2SD895E

更新时间: 2024-01-29 14:55:15
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 226K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-218VAR

2SD895E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:85 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):60 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
Base Number Matches:1

2SD895E 数据手册

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