2SD898

更新时间： 2024-09-29 05:57:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	140K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD898 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD898

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Built-in damper diode

·High voltage ,high power dissipation

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For TV horizontal deflection output

applications

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1500

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

3.5

P_T

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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