2SD916

更新时间： 2024-01-05 20:14:45

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2页	98K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD916 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

2SD916 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD916

DESCRIPTION

·High DC Current Gain

·Low Saturation Voltage

·High Reliability

APPLICATIONS

·Audio power amplifiers

·Relay& solenoid drivers

·Motor controls

·General purpose power amplifiers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CEO(SUS)

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

0.2

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

4.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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