2SD917

更新时间： 2024-09-30 07:31:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD917 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD917 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD917

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High speed switching

·High V_CBO

·Large collector power dissipation

APPLICATIONS

·For horizontal deflection output

applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

330

200

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Collector current (Nonrepeatitive)

Collector power dissipation

Junction temperature

I_CM

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

Storage temperature

12 3

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