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2SD946

更新时间: 2024-10-01 22:35:55
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6页 267K
描述
SI NPN EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON

2SD946 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.81
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):4000JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHz

2SD946 数据手册

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