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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD946B
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2SD946B

更新时间： 2024-02-22 18:34:57
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
For Low-Frequency Amplification

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2SD946B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：8000JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SD946B 数据手册

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Power Transistors  
2SD0946 (2SD946), 2SD0946A (2SD946A),  
2SD0946B (2SD946B)  
Silicon NPN epitaxial planar type darlington  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
+0.5  
8.0  
–0.1  
3.2 0.2  
φ 3.16 0.1  
■ Features  
• Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is appro-  
priate to the driver circuit of motors and printer hammer.  
• A shunt resistor is omitted from the driver.  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
2SD0946  
2SD0946A  
2SD0946B  
2SD0946  
2SD0946A  
2SD0946B  
VCBO  
30  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
60  
0.75 0.1  
4.6 0.2  
100  
0.5 0.1  
2.3 0.2  
0.5 0.1  
1.76 0.1  
VCEO  
25  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
50  
1
2
3
80  
TO-126B-A1 Package  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
5
V
A
Internal Connection  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
1
1.5  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
A
C
1.2  
W
°C  
°C  
B
150  
Tstg  
−55 to +150  
≈ 200 Ω  
Typ  
E
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
Symbol  
Conditions  
Min  
30  
60  
100  
25  
50  
80  
5
Max  
Unit  
2SD0946  
2SD0946A  
2SD0946B  
2SD1263  
2SD0946A  
2SD0946B  
VCBO  
IC = 100 µA, IE = 0  
V
VCEO  
IC = 1 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
IE = 100 µA, IC = 0  
VCB = 25 V, IE = 0  
VEB = 4 V, IC = 0  
VCE = 10 V, IC = 1 A  
V
µA  
µA  
0.1  
0.1  
1, 2  
Forward current transfer ratio *  
4000  
40 000  
1.8  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 1 A, IB = 1 mA  
VBE(sat) IC = 1 A, IB = 1 mA  
V
1
Base-emitter saturation voltage *  
2.2  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
150  
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE  
4000 to 10000 8000 to 20000 16000 to 40000  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: May 2003  
SJD00164BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD946BQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126
2SD946BR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126
2SD946BS ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126
2SD946P PANASONIC

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 		SI NPN EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON
2SD946Q PANASONIC

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2SD947 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126ISO
2SD947F ETC

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2SD950 ISC

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 		Silicon NPN Power Transistors

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